界面新闻2月22日消息，英国多孔氮化镓 (GaN) 半导体材料开发商和Micro LED技术提供商Porotech近日宣布完成2000万美元A轮融资。本轮融资由专注于技术领域早期和成长型投资的阿米巴资本领投，三星风投，弘晖基金，及个人投资人跟投，老股东Speedinvest持续加注跟投。

公开资料显示，Porotech是剑桥大学孵化的公司，致力于宽带隙化合物 GaN 半导体的开发，通过应用材料技术和解决方案，释放GaN 的全部应用潜力。

所谓“氮化镓“是指一种由人工合成的半导体材料，是第三代半导体材料的典型代表。而Porotech公司运用独特技术研发出的多孔氮化镓材料，在其内部分布着直径为几十纳米的小孔，可以用来进行光学及多种材料特性的定制开发。根据智慧芽此前发布的《第三代半导体-氮化镓(GaN)技术洞察报告》，全球在氮化镓产业已申请16万多件专利，有效专利6万多件。在该领域中，中美日三国的技术实力较强，且中美日市场较热。

具体来看Porotech公司的技术储备，智慧芽数据显示，Porotech当前在全球126个国家/地区中，共有超过20件专利申请，且均为发明专利。进一步分析该公司全部20余件专利，可以发现Porotech的专利布局主要专注于氮化物等相关技术领域。

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